分析与QSense post-CMP清洁和去除残留

污染控制和表面清洁是硅胶处理成功的关键。这里我们展示QSense技术可以用于分析污染物吸附和解吸在不同条件下,并评估和比较的效率CMP清洁工

分析molecule-surface实时交互

QSense技术基于石英晶体微量天平与耗散监控、QCM-D,这是一个表面敏感的实时技术分析molecule-surface和层属性在纳米尺度上的相互作用。监控谐振频率的变化,f和耗散,D、石英晶体表面相互作用和层属性的特征以及如何量化的质量、厚度、粘弹性性质。

所提供的资料QSense QCM-D允许的分析,例如,分子吸附/解吸,表面腐蚀,清洗过程。

在清洁的背景下分析,该方法适用于:

中使用的技术也更基本的工作。例如,在一项研究中¹由吴et al ., QSense QCM-D被用来研究污染物吸附和解吸的基本面获得的见解,帮助开发化学反应和过程适用于10纳米技术节点和超越。

本研究中使用的模型系统是苯并三唑(BTA),铜缓蚀剂用于障碍CMP泥浆和post-CMP清洁配方,对铜的吸附。然后,tetramethylammonium氢氧化物(TMAH)和acetohydroxamic酸(哈哈)的解决方案是用来分析BTA删除。

正如前面提到的,清洗效率分析通过观察传感器表面的质量损失,即。,质量去除率和去除总量。运行这样一个分析,测量的关键步骤是先添加化学或组件,后来被删除的清洁剂,浮出水面。图1所示。接下来,表面附着层暴露在感兴趣的清洁剂和除质量监控。

在本例中,我们想要分析和比较去除效率的泥浆添加剂使用两个不同的清洗剂。我们想要比较的去除率和去除总量。我们运行两个实验使用相同的表面化学和溶剂条件在这两种情况下,图1所示。

测量开始暴露的两个表面溶剂建立一个参考基准
接下来,表面暴露在泥浆添加剂,这两个表面的吸附。QSense分析允许我们监视添加剂表面吸收。吸附达到饱和时,有一个冲洗步骤去除添加剂剩下的大部分。
接下来,我们两个表面暴露在两个不同的清洗剂相比。QSense测量允许我们实时监控删除过程——我们可以遵循的清洗剂与添加剂交互层表面和它们是如何被移除。
去除率和去除总额可以相比的两个测量揭示两者之间清洁剂是最有效的。在这个原理的例子中,图1中使用的清洁剂)将会更快更有效比B)中使用的清洁剂如图所示曲线的斜率和净质量损失。