石英晶体微天平,药物,以及扩展版本,如石英晶体微天平耗散监测,QCM-D,是表面敏感的实时技术,可以以纳米级分辨率检测传感器表面的质量变化。本质上,这些仪器是非常小质量的天平,分子-表面相互作用被检测为质量的变化,即质量吸收或质量损失,因为分子吸附或解吸。
除了质量的变化,QCM-D还捕捉到了能量损失的变化。这些附加信息可以深入了解所研究系统的粘弹性特性,并可以揭示传感器表面分子层的结构以及结构变化,如膨胀、交联和塌陷。
QCM历史简介
在早期,qcm技术被用于监测气相和真空环境中的薄膜沉积。几十年后,它也被引入到液相中使用。这为例如生物分子和聚合物的表面相互作用分析打开了通道,这些分子和聚合物通常在传感器表面形成软层和/或厚层。在这种类型的测量中,测量能量损失的扩展QCM:s已被证明是特别有用的,因为关于能量损失的信息有助于分析和量化粘弹性层.
测量质量
为了从检测到的频率变化,Δf,到质量单位的量化数字,需要转换。频率和质量之间的关系是由Günther Sauerbrey在1959年首次确定的,并产生了所谓的索尔布雷关系.这一发现导致了qcm技术的诞生。
软层量化
为了使粘弹性建模成为可能,或者甚至知道它实际上是否需要,我们需要关于系统中能量损失的信息,即所谓的耗散.利用QCM- d等扩展QCM:s捕获能量损失。例如,与标准QCM相反,它捕获一个参数Δf,作为时间的函数,QCM-D技术捕获了两个参数Δf和ΔD,是时间的函数。